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  • 物理论坛(2020年第18讲)二元氧化物阻变调控及其突触仿生
  • 发布时间:2020年10月28日 08:42 作者: 
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    报告主题:二元氧化物阻变调控及其突触仿生
    报告人:赖云锋,教授,福州大学物理与信息工程学院
    报告时间:2020年10月28日(星期三)下午(16:00-17:00)
    报告地点:龙赛理科楼北楼116会议室

    报告简介:
    忆阻器由于具备功耗低、CMOS工艺兼容性好、微缩能力强、开关速度快、窗口比值大、多值存储等优良特性,而被国际半导体技术路线图(ITRS)视作应当受到重视并加速实现产业化的新型存储器之一。其多值存储特性不仅可用于存储器,实现海量存储;还可服务于电子突触,实现神经形态计算,为人工智能的发展奠定硬件基础。本报告介绍掺杂、等离子体修饰、介质层设计、界面优化等手段对氧化锌、氧化铪忆阻器阻变性能的影响及其可能的作用机制;还将介绍相关改性工艺对器件多值存储和仿生突触特性产生的影响。

    报告人简介:
    赖云锋,福州大学物理与信息工程学院教授,2007年获上海交通大学微电子学与固体电子学博士学位。随后,在法国国家科学研究中心进行博士后研究,从事纳米线合成及其物性研究、高介电常数材料性能优化及其器件工艺研究。2009年加盟福州大学,现任教授。近些年,针对阻变存储材料与器件进行了具有特色的研究工作。提出采用等离子体修饰器件的技术手段,优化器件性能。已发表与存储技术相关且被SCI收录的学术论文30余篇,获得8件国家发明专利授权。

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